Infineon全新1EDI Compact 300 mil增大了宽体封装

发布时间:2016-05-23 14:14 阅读次数:

  Infineon公司为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装,可增大爬电距离并改善热性能。

  

  全新IC的爬电距离为8 mm,输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的引脚可简化PCB设计,实现低阻抗电源。与英飞凌EiceDRIVER™产品家族的其他成员一样,1EDI Compact 300 mil驱动基于英飞凌的无芯<变压器技术。比较新推出的驱动IC能实现比较大6 A的输出电流。

  该IC能在独立的灌电流和拉电流输出引脚分别提供驱动电流0.5A(1EDI05I12AH)、2A(1EDI20I12AH)、4A(1EDI40I12AH)和6A(1EDI60I12AH)的不同型号。这些器件的典型延迟为300纳秒。对于速度更高的应用,1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延迟有所缩短,只有120纳秒,非常适合于当今和未来的基于SiC-MOSFET的应用。另外三个型号(1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH)配有一个集成的米勒钳位,可提供相应的输出电流1A、2A和3A等规格。

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